NXP PDTC123ET 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 250 mW, 100 mA, 30 hFE
The is a 2.2kR NPN Resistor Equipped Transistor RET in a surface-mount plastic package.
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- Built-in bias resistors
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- Simplified circuit design
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- Reduction of component count
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- Reduced pick and place costs
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- PNP complement is PDTA123ET
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- 26 Marking code
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PDTC123ET NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BCR103 英飞凌 | 类似代替 | PDTC123ET和BCR103的区别 |
MMUN2231LT1G 安森美 | 功能相似 | PDTC123ET和MMUN2231LT1G的区别 |
PDTC123ET,215 安世 | 功能相似 | PDTC123ET和PDTC123ET,215的区别 |