NXP PDTA114EU 单晶体管 双极, BRT, PNP, 50 V, 180 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -100mA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 10KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 30 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| FEATURES • PNP resistor-equipped transistors • Built-in bias resistors • Simplified circuit design • Reduction of component count • Reduced pick and place costs. APPLICATIONS • General purpose switching and amplification • Inverter and interface circuits • Circuit driver. 描述与应用| 特点 •PNP电阻配备 •内置偏置电阻 •简化电路设计 •减少元件数量 •减少取放成本。 应用 •通用开关和放大 •逆变器和接口电路 •电路驱动。
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323
封装 SOT-323
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Automotive, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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PDTA114EU NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
MUN5111T1G 安森美 | 功能相似 | PDTA114EU和MUN5111T1G的区别 |
PDTA114EU,115 恩智浦 | 功能相似 | PDTA114EU和PDTA114EU,115的区别 |