PDTA114EU

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PDTA114EU概述

NXP  PDTA114EU  单晶体管 双极, BRT, PNP, 50 V, 180 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -100mA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 10KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 30 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| FEATURES • PNP resistor-equipped transistors • Built-in bias resistors • Simplified circuit design • Reduction of component count • Reduced pick and place costs. APPLICATIONS • General purpose switching and amplification • Inverter and interface circuits • Circuit driver. 描述与应用| 特点 •PNP电阻配备 •内置偏置电阻 •简化电路设计 •减少元件数量 •减少取放成本。 应用 •通用开关和放大 •逆变器和接口电路 •电路驱动。

PDTA114EU中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30

直流电流增益hFE 30

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Power Management, Automotive, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

PDTA114EU引脚图与封装图
PDTA114EU引脚图
PDTA114EU封装图
PDTA114EU封装焊盘图
在线购买PDTA114EU
型号: PDTA114EU
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PDTA114EU  单晶体管 双极, BRT, PNP, 50 V, 180 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE
替代型号PDTA114EU
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PDTA114EU

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

MUN5111T1G

安森美

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PDTA114EU和MUN5111T1G的区别

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