NXP PBSS5350T 单晶体管 双极, PNP, 50 V, 300 mW, 3 A, 200 hFE
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −50V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 200 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -390mV/-0.39V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| 30 V low VCEsat PNP transistor FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and corresponding low RCEsat • High collector current capability • High collector current gain • Improved efficiency due to reduced heat generation. • NPN complement: PBSS4350T. APPLICATIONS • Power management applications • Low and medium power DC/DC convertors • Supply line switching • Battery chargers • Linear voltage regulation with low voltage drop-out 描述与应用| 30伏的低VCE(sat)的PNP 特点 •低集电极 - 发射极饱和电压VCE(饱和)和相应的低RCEsat •高集电极电流能力 •高集电极电流增益 •由于产生的热量减少,提高了效率。 •NPN补充:PBSS4350T。 应用 •电源管理应用 •低功率和中功率DC/ DC转换器 •供电线路开关 •电池充电器 •线性电压调节,低电压降
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 80
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1.2 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Consumer Electronics, Industrial, Signal Processing
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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PBSS5350T NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PBSS5350T,215 恩智浦 | 功能相似 | PBSS5350T和PBSS5350T,215的区别 |
FMMT720 美台 | 功能相似 | PBSS5350T和FMMT720的区别 |