PNP 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
The is a 1A PNP breakthrough-in small signal BISS Transistor in a very small surface-mount plastic package.
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 100
直流电流增益hFE 350
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 0.415 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Automotive, Industrial, Signal Processing, Motor Drive & Control
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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PBSS5160U NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
ZUMT718 威世 | 功能相似 | PBSS5160U和ZUMT718的区别 |