PBSS5160U

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PBSS5160U概述

PNP 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

The is a 1A PNP breakthrough-in small signal BISS Transistor in a very small surface-mount plastic package.

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Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
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High collector current capability IC and ICM
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High collector current gain hFE at high IC
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High efficiency due to less heat generation
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Smaller required printed-circuit board PCB area than for conventional transistors
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NPN complement is PBSS4160U
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53 Marking code
PBSS5160U中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100

直流电流增益hFE 350

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 0.415 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Power Management, Automotive, Industrial, Signal Processing, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

PBSS5160U引脚图与封装图
PBSS5160U引脚图
PBSS5160U封装图
PBSS5160U封装焊盘图
在线购买PBSS5160U
型号: PBSS5160U
制造商: NXP 恩智浦
描述:PNP 晶体管,NXP 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
替代型号PBSS5160U
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PBSS5160U

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

ZUMT718

威世

功能相似

PBSS5160U和ZUMT718的区别

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