NXP PBSS5440D,115 单晶体管 双极, PNP, -40 V, 110 MHz, 1.1 W, -4 A, 200 hFE
The is a PNP breakthrough-in small signal BISS Transistor housed in a surface-mount plastic package.
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- Ultra-low collector-emitter saturation voltage VCEsat
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- Very low collector-emitter saturation resistance
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- High efficiency due to less heat generation
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- Up to 15A peak current
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- NPN complement is PBSS4440D
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- 71 Marking code
频率 110 MHz
针脚数 6
极性 PNP
耗散功率 1.1 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 175 @2A, 2V
最大电流放大倍数hFE 200 @0.5A, 2V
额定功率Max 1.1 W
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 2500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-457
宽度 1.7 mm
封装 SOT-457
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Consumer Electronics, Industrial, Signal Processing, Motor Drive & Control
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PBSS5440D,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PBSS302PDH 恩智浦 | 类似代替 | PBSS5440D,115和PBSS302PDH的区别 |
PBSS302PD,115 恩智浦 | 功能相似 | PBSS5440D,115和PBSS302PD,115的区别 |
PBSS5440D 安世 | 功能相似 | PBSS5440D,115和PBSS5440D的区别 |