PBSS5220T概述
NXP PBSS5220T 单晶体管 双极, PNP, 20 V, 300 mW, 2 A, 225 hFE
The is a 2A PNP breakthrough-in small signal BISS Transistor in a plastic package offering ultra-low VCEsat and RCEsat parameters.
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- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
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- High collector current capabilities of IC and ICM
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- Higher efficiency leading to less heat generation
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- Reduced printed-circuit board requirements
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- 3F Marking code
PBSS5220T中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 150
直流电流增益hFE 225
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 0.48 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Consumer Electronics, Industrial, Signal Processing, Motor Drive & Control, Lighting
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PBSS5220T引脚图与封装图 
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