NXP PBSS4160U,115 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 220 MHz, 250 mW, 1 A, 500 hFE
The is a 1A NPN breakthrough-in small signal BISS Transistor housed in a surface-mount plastic package.
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- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
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- High collector current capability of IC and ICM
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- High collector current gain hFE at high IC
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- High efficiency due to less heat generation
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- Smaller required printed-circuit board PCB area than for conventional transistors
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- PNP complement is PBSS5160U
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- 52 Marking code
频率 220 MHz
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 250 @1mA, 5V
额定功率Max 415 mW
直流电流增益hFE 500
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 415 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Signal Processing, Power Management, Motor Drive & Control, Automotive, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PBSS4160U,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BZX84-B12,215 恩智浦 | 功能相似 | PBSS4160U,115和BZX84-B12,215的区别 |
DSS4160U-7 美台 | 功能相似 | PBSS4160U,115和DSS4160U-7的区别 |