





PNP 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
The is a 800mA PNP breakthrough-in small signal BISS Resistor Equipped Transistor RET in a small surface-mount plastic package.
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 600mA
最小电流放大倍数hFE 230
直流电流增益hFE 320
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 570 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-23
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Industrial, Automotive, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PBRP123YT NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PBRP123YT,215 安世 | 功能相似 | PBRP123YT和PBRP123YT,215的区别 |
PBRP123ET,215 恩智浦 | 功能相似 | PBRP123YT和PBRP123ET,215的区别 |