PBRP123YT

PBRP123YT图片1
PBRP123YT图片2
PBRP123YT图片3
PBRP123YT图片4
PBRP123YT图片5
PBRP123YT图片6
PBRP123YT概述

PNP 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

The is a 800mA PNP breakthrough-in small signal BISS Resistor Equipped Transistor RET in a small surface-mount plastic package.

.
High current gain hFE
.
Built-in bias resistors
.
Simplifies circuit design
.
Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
.
Reduces component count
.
Reduces pick and place costs
.
±10% Resistor ratio tolerance
.
NPN complement is PBRN123YT
.
7Q Marking code
PBRP123YT中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 600mA

最小电流放大倍数hFE 230

直流电流增益hFE 320

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 570 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-23

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Industrial, Automotive, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PBRP123YT
型号: PBRP123YT
制造商: NXP 恩智浦
描述:PNP 晶体管,NXP 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
替代型号PBRP123YT
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PBRP123YT

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

PBRP123YT,215

安世

功能相似

PBRP123YT和PBRP123YT,215的区别

PBRP123ET,215

恩智浦

功能相似

PBRP123YT和PBRP123ET,215的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司