NXP PBSS5630PA 单晶体管 双极, PNP, -30 V, 80 MHz, 2.1 W, -6 A, 345 hFE
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -30V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -6A 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 80MHZ 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 110~345 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.35V 耗散功率Pc Power dissipation | 0.5W 描述与应用 Description & Applications | | | | | |
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NXP PBSS5630PA 单晶体管 双极, PNP, -30 V, 80 MHz, 2.1 W, -6 A, 345 hFE
Newark:
# NXP PBSS5630PA Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -30 V, 80 MHz, 2.1 W, -6 A, 345 hFE
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 2.1 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 6A
直流电流增益hFE 345
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
引脚数 3
封装 SOT-1061
封装 SOT-1061
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Consumer Electronics, Industrial, Motor Drive & Control
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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PBSS5630PA NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PBSS5620PA 安世 | 功能相似 | PBSS5630PA和PBSS5620PA的区别 |