PBSS5630PA

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PBSS5630PA概述

NXP  PBSS5630PA  单晶体管 双极, PNP, -30 V, 80 MHz, 2.1 W, -6 A, 345 hFE

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -30V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -6A 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 80MHZ 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 110~345 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.35V 耗散功率Pc Power dissipation | 0.5W 描述与应用 Description & Applications | | | | | |


e络盟:
NXP  PBSS5630PA  单晶体管 双极, PNP, -30 V, 80 MHz, 2.1 W, -6 A, 345 hFE


Newark:
# NXP  PBSS5630PA  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -30 V, 80 MHz, 2.1 W, -6 A, 345 hFE


PBSS5630PA中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 2.1 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 6A

直流电流增益hFE 345

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-1061

外形尺寸

封装 SOT-1061

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Power Management, Consumer Electronics, Industrial, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PBSS5630PA
型号: PBSS5630PA
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PBSS5630PA  单晶体管 双极, PNP, -30 V, 80 MHz, 2.1 W, -6 A, 345 hFE
替代型号PBSS5630PA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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