PBHV8115X概述
NXP PBHV8115X 单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 1.5 W, 1 A, 10 hFE
The is a 1A NPN breakthrough-in small signal BISS Transistor in a medium power and flat lead surface-mount plastic package. It offers die pad for good heat transfer.
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- High voltage
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- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
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- High collector current capability IC and ICM
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- High collector current gain hFE at high IC
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- AEC-Q101 qualified
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- %4F Marking code
PBHV8115X中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1.5 W
击穿电压集电极-发射极 150 V
集电极最大允许电流 1A
直流电流增益hFE 10
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89
外形尺寸
封装 SOT-89
其他
产品生命周期 Unknown
制造应用 Lighting, Automotive, Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
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