NXP PBHV8115T 单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFE
The is a 1A NPN breakthrough-in small signal BISS Transistor in a small surface-mount plastic package.
- .
- High voltage
- .
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- .
- High collector current capability IC and ICM
- .
- High collector current gain hFE at high IC
- .
- AEC-Q101 qualified
- .
- W6 Marking code
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 150 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 10
直流电流增益hFE 250
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-23
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Lighting, Automotive, Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PBHV8115T NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PBHV8115Z,115 恩智浦 | 功能相似 | PBHV8115T和PBHV8115Z,115的区别 |
PBHV8115T,215 恩智浦 | 功能相似 | PBHV8115T和PBHV8115T,215的区别 |
PBHV8118T 安世 | 功能相似 | PBHV8115T和PBHV8118T的区别 |