PBSS4140T

NXP  PBSS4140T  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 mW, 1 A, 300 hFE

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 40V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 150MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 900 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 200mV~500mV 耗散功率PcPower Dissipation| 450mW/0.45W Description & Applications| 40 V, 1 A NPN low VCEsat BISS transistor FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage • High current capabilities. • Improved device reliability due to reduced heat generation. APPLICATIONS • General purpose switching and muting • LCD backlighting • Supply line switching circuits • Battery driven equipment mobile phones, video cameras and hand-held devices. DESCRIPTION NPN low VCEsat transistor in a SOT23 plastic package. 描述与应用| 40 V，1 A NPN低VCEsat（BISS） 特点 •低集电极 - 发射极饱和电压 •高电流的能力。 •提高设备的可靠性，由于减少热 的一代。 应用 •通用开关和静音 •LCD背光 •供电线路开关电路 •电池驱动设备（移动电话，视频 相机和手持设备）。 说明 NPN低VCEsat  晶体管在SOT23塑料包装。