NXP PBSS4140U 单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 150 MHz, 250 mW, 1 A, 300 hFE
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | 40V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | 2A 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 150MHZ 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 300~900 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage | 500MV 耗散功率Pc Power dissipation | 250MW 描述与应用 Description & Applications | 低饱和电压 高电流的能力。
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 40V 1A 3-Pin SC-70
Newark:
# NXP PBSS4140U Bipolar BJT Single Transistor, GENERAL PURPOSE, NPN, 40 V, 150 MHz, 250 mW, 1 A, 300
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 200
直流电流增益hFE 300
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 0.35 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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PBSS4140U NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
2DD2656-7 美台 | 功能相似 | PBSS4140U和2DD2656-7的区别 |
PBSS4140U,115 恩智浦 | 功能相似 | PBSS4140U和PBSS4140U,115的区别 |
DSS4140U-7 美台 | 功能相似 | PBSS4140U和DSS4140U-7的区别 |