PBHV8118T

PBHV8118T图片1
PBHV8118T图片2
PBHV8118T图片3
PBHV8118T图片4
PBHV8118T图片5
PBHV8118T中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 180 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100

直流电流增益hFE 250

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PBHV8118T
型号: PBHV8118T
制造商: NXP 恩智浦
描述:NPN 晶体管,NXP 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
替代型号PBHV8118T
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PBHV8118T

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

PBHV8115Z,115

恩智浦

功能相似

PBHV8118T和PBHV8115Z,115的区别

PBHV8115T,215

恩智浦

功能相似

PBHV8118T和PBHV8115T,215的区别

PBHV8115T

安世

功能相似

PBHV8118T和PBHV8115T的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台