PBSS5330PA参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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PBSS5330PA中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 500 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 3A

直流电流增益hFE 320

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-1061

外形尺寸

封装 SOT-1061

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PBSS5330PA

型号： PBSS5330PA

制造商： NXP 恩智浦

描述：30 V ，3A PNP低VCEsat晶体管晶体管 30 V, 3 A PNP low VCEsat transistor

替代型号PBSS5330PA

型号/品牌

代替类型

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