NXP PBHV9115T 单晶体管 双极, PNP, -150 V, 115 MHz, 300 mW, -1 A, 220 hFE
The is a 1A PNP breakthrough-in small signal BISS Transistor housed in a surface-mount plastic package.
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- High voltage
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- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
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- High collector current capability IC and ICM
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- High collector current gain hFE at high IC
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- AEC-Q101 qualified
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- NPN complement is PBHV8115T
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- W7 Marking code
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 150 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 100
直流电流增益hFE 220
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-23
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Automotive, Power Management, Industrial, Lighting, Motor Drive & Control
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PBHV9115T NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PBHV9115T,215 恩智浦 | 功能相似 | PBHV9115T和PBHV9115T,215的区别 |