PBHV9115X概述
NXP PBHV9115X 单晶体管 双极, PNP, -150 V, 115 MHz, 520 mW, -1 A, 220 hFE
The is a 1A PNP breakthrough-in small signal BISS Transistor in a small and flat surface-mount plastic package. It offers collector pad for good heat transfer.
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- High voltage
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- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
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- High collector current capability IC and ICM
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- High collector current gain hFE at high IC
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- 4G Marking code
PBHV9115X中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 520 mW
击穿电压集电极-发射极 150 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 10
直流电流增益hFE 220
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.5 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89
外形尺寸
长度 4.6 mm
宽度 2.6 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-89
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Lighting, Automotive, Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买PBHV9115X
型号： PBHV9115X
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP PBHV9115X 单晶体管 双极, PNP, -150 V, 115 MHz, 520 mW, -1 A, 220 hFE