NXP PBSS2515E,115 单晶体管 双极, NPN, 15 V, 420 MHz, 150 mW, 500 mA, 90 hFE
The is a 0.5A NPN breakthrough-in small signal BISS Transistor in an ultra-small surface-mount plastic package.
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- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
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- High collector current capability IC and ICM
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- High collector current gain hFE at high IC
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- High efficiency due to less heat generation
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- Smaller required printed-circuit board PCB area than for conventional transistors
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- PNP complement is PBSS3515E
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- 1Q Marking code
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 15 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 150 @100mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 200 @10mA, 2V
额定功率Max 250 mW
直流电流增益hFE 90
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-75-3
封装 SC-75-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial, Motor Drive & Control, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PBSS2515E,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PBSS2515F,115 恩智浦 | 类似代替 | PBSS2515E,115和PBSS2515F,115的区别 |
2SC5585TL 罗姆半导体 | 功能相似 | PBSS2515E,115和2SC5585TL的区别 |