NXP PBHV8540Z 单晶体管 双极, NPN, 400 V, 30 MHz, 700 mW, 500 mA, 200 hFE
The is a 0.5A NPN breakthrough-in small signal BISS Transistor in a medium power surface-mount plastic package with increased heat-sink.
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- High voltage
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- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
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- High collector current capability IC and ICM
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- High collector current gain hFE at high IC
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- AEC-Q101 qualified
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- PNP complement is PBHV9040Z
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- V8540Z Marking code
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 700 mW
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 10
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.4 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.8 mm
封装 SOT-223
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Lighting, Automotive, Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PBHV8540Z NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
FZT458TA 美台 | 功能相似 | PBHV8540Z和FZT458TA的区别 |
PBHV8540Z,115 安世 | 功能相似 | PBHV8540Z和PBHV8540Z,115的区别 |