NXP PBHV9050T 单晶体管 双极, PNP, -500 V, 50 MHz, 300 mW, -150 mA, 160 hFE
The is a 150mA PNP breakthrough-in small signal BISS Transistor in a medium power surface-mount plastic package.
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- High voltage
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- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
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- High collector current capability IC and ICM
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- High collector current gain hFE at high IC
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- AEC-Q101 qualified
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- NPN complement is PMBTA45
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- LL Marking code
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 500 V
集电极最大允许电流 0.15A
最小电流放大倍数hFE 100
直流电流增益hFE 160
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-23
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Lighting, Automotive, Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PBHV9050T NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PBHV9050T,215 恩智浦 | 功能相似 | PBHV9050T和PBHV9050T,215的区别 |
FMMT560 威世 | 功能相似 | PBHV9050T和FMMT560的区别 |