PDTC115EU,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

PDTC115EU,115概述

SC-70 NPN 50V 20mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 20mA 200mW Surface Mount SOT-323

得捷:
TRANS NPN 50V 20MA SOT323

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 20mA Automotive 3-Pin SC-70 T/R

Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 20mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

PDTC115EU,115中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 20mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-323-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PDTC115EU,115

型号： PDTC115EU,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：SC-70 NPN 50V 20mA

替代型号PDTC115EU,115