SC-70 PNP 50V 20mA
Bipolar BJT Transistor
得捷:
NEXPERIA PDTA115EU - SMALL SIGNA
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 20mA Automotive 3-Pin SC-70 T/R
安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 20mA 3-Pin SC-70 T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
极性 PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 20mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PDTA115EU,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PDTA115ET,215 恩智浦 | 功能相似 | PDTA115EU,115和PDTA115ET,215的区别 |
MMUN2141LT1G 安森美 | 功能相似 | PDTA115EU,115和MMUN2141LT1G的区别 |
MUN5141T1G 安森美 | 功能相似 | PDTA115EU,115和MUN5141T1G的区别 |