PDTC123EU,115中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @20mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买PDTC123EU,115
替代型号PDTC123EU,115
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PDTC123EU,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
DTC114EUAT106 罗姆半导体 | 功能相似 | PDTC123EU,115和DTC114EUAT106的区别 |
DTC143EUAT106 罗姆半导体 | 功能相似 | PDTC123EU,115和DTC143EUAT106的区别 |
DTC115EUAT106 罗姆半导体 | 功能相似 | PDTC123EU,115和DTC115EUAT106的区别 |