PDTC115TU,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

PDTC115TU,115概述

PDTC115T series - NPN配电阻晶体管；R1 = 100 kOhm，R2 = 开路

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SOT-323

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-70 T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-70 T/R

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

PDTC115TU,115中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-323-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PDTC115TU,115

型号： PDTC115TU,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：PDTC115T series - NPN配电阻晶体管；R1 = 100 kOhm，R2 = 开路

替代型号PDTC115TU,115