PDTC144VU,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

PDTC144VU,115概述

PDTC144V series - NPN配电阻晶体管；R1 = 47 kOhm，R2 = 10 kOhm

Bipolar BJT Transistor

得捷:
NEXPERIA PDTC144VU - SMALL SIGNA

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-70 T/R

安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-70 T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-70 T/R

PDTC144VU,115中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 40 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PDTC144VU,115

型号： PDTC144VU,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：PDTC144V series - NPN配电阻晶体管；R1 = 47 kOhm，R2 = 10 kOhm

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替代型号PDTC144VU,115

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