PDTA123TT,215参数规格_中文资料_数据手册PDF

PDTA123TT,215概述

TO-236AB PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount TO-236AB

得捷:
NEXPERIA PDTA123TT - SMALL SIGNA

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin TO-236AB T/R

安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin TO-236AB T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin TO-236AB T/R

Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

PDTA123TT,215中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 0.25 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @20mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PDTA123TT,215

型号： PDTA123TT,215

制造商： NXP 恩智浦

描述：TO-236AB PNP 50V 100mA

替代型号PDTA123TT,215