PDTA123JTVL

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PDTA123JTVL中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PDTA123JTVL
型号: PDTA123JTVL
制造商: NXP 恩智浦
描述:TO-236AB PNP 50V 100mA
替代型号PDTA123JTVL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PDTA123JTVL

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PDTA123JT,215

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PDTA123JTVL和PDTA123JT,215的区别

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