PDTA115TT,215参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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PDTA115TT,215中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PDTA115TT,215

型号： PDTA115TT,215

制造商： NXP 恩智浦

描述：TO-236AB PNP 50V 100mA

替代型号PDTA115TT,215

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PDTA115TT,215 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
DDTA115TCA-7 美台	功能相似	PDTA115TT,215和DDTA115TCA-7的区别
DDTA115GCA-7 美台	功能相似	PDTA115TT,215和DDTA115GCA-7的区别
DDTA115TKA-7-F 美台	功能相似	PDTA115TT,215和DDTA115TKA-7-F的区别