PDTC124ET,235

PDTC124ET,235图片1
PDTC124ET,235图片2
PDTC124ET,235图片3
PDTC124ET,235图片4
PDTC124ET,235图片5
PDTC124ET,235图片6
PDTC124ET,235概述

TO-236AB NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount TO-236AB


得捷:
NOW NEXPERIA PDTC124ET - SMALL S


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin TO-236AB T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB


PDTC124ET,235中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 5V

额定功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PDTC124ET,235
型号: PDTC124ET,235
制造商: NXP 恩智浦
描述:TO-236AB NPN 50V 100mA
替代型号PDTC124ET,235
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PDTC124ET,235

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

PDTC124ET,215

恩智浦

完全替代

PDTC124ET,235和PDTC124ET,215的区别

PDTC124ET

恩智浦

完全替代

PDTC124ET,235和PDTC124ET的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台