PN200RM概述
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 3Pin TO-92 Ammo
Bipolar BJT Transistor PNP 45 V 500 mA 250MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS PNP 45V 0.5A TO92-3
艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Verical:
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
PN200RM中文资料参数规格
技术参数
频率 250 MHz
额定电压DC -45.0 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
耗散功率 0.625 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 600
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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