PDTA114ET,235

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PDTA114ET,235概述

TO-236AB PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount TO-236AB


得捷:
NOW NEXPERIA PDTA114 - SMALL SIG


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin TO-236AB T/R


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin TO-236AB T/R


PDTA114ET,235中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PDTA114ET,235
型号: PDTA114ET,235
制造商: NXP 恩智浦
描述:TO-236AB PNP 50V 100mA
替代型号PDTA114ET,235
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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NXP 恩智浦

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