PN2222ABU

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PN2222ABU概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  PN2222ABU  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 625 mW, 1 A, 35 hFE

The is a 40V NPN Bipolar BJT Single Transistor for use as a medium power amplifier and switch requiring collector currents up to 500mA. This product is general usage and suitable for many different applications.

.
75V Collector to base voltage VCBO
.
6V Emitter to base voltage VEBO
.
83.3°C/W Thermal resistance, junction to case
.
200°C/W Thermal resistance, junction to ambient
.
60ns Fall time TA = 25°C
PN2222ABU中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

额定电压DC 40.0 V

额定电流 500 mA

额定功率 625 mW

针脚数 3

极性 N-Channel, NPN

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 300

额定功率Max 625 mW

直流电流增益hFE 35

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 3.93 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买PN2222ABU
型号: PN2222ABU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  PN2222ABU  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 625 mW, 1 A, 35 hFE
替代型号PN2222ABU
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