PN2222 Series 30V 600mA Through Hole NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-92-3
Bipolar BJT Transistor NPN 30 V 600 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS NPN 30V 0.6A TO92-3
艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 3-Pin TO-92 Ammo
富昌:
PN2222 系列 30 V 600 mA 通孔 NPN 外延硅晶体管 - TO-92-3
额定电压DC 30.0 V
额定电流 600 mA
极性 NPN
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PN2222TA Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
PN2222TF 飞兆/仙童 | 完全替代 | PN2222TA和PN2222TF的区别 |
PN2222TFR 飞兆/仙童 | 类似代替 | PN2222TA和PN2222TFR的区别 |
PN2222_J18Z 飞兆/仙童 | 类似代替 | PN2222TA和PN2222_J18Z的区别 |