PDTA114TE,115

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PDTA114TE,115概述

SC-75 PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75


得捷:
NEXPERIA PDTA114TE - SMALL SIGNA


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-75 T/R


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-75 T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75


PDTA114TE,115中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 200 @1mA, 5V

额定功率Max 150 mW

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-416-3

外形尺寸

封装 SOT-416-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PDTA114TE,115
型号: PDTA114TE,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:SC-75 PNP 50V 100mA
替代型号PDTA114TE,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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