PMSTA56,115

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PMSTA56,115中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

额定功率Max 200 mW

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PMSTA56,115
型号: PMSTA56,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:SC-70 PNP 80V 0.5A
替代型号PMSTA56,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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