PMSTA55,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

PMSTA55,115概述

SC-70 PNP 60V 0.5A

Bipolar BJT Transistor PNP 60 V 500 mA 50MHz 200 mW Surface Mount SOT-323

得捷:
NOW NEXPERIA PMSTA55 - SMALL SIG

艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A Automotive 3-Pin SC-70 T/R

安富利:
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 3-Pin SC-70 T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 3-Pin SC-70 T/R

PMSTA55,115中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

额定功率Max 200 mW

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PMSTA55,115

型号： PMSTA55,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：SC-70 PNP 60V 0.5A

替代型号PMSTA55,115