PRF957,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

PRF957,115概述

射频双极晶体管，NXP### 双极性晶体管，NXP Semiconductors

射频双极，Nexperia

### 双极晶体管，Nexperia

得捷:
RF TRANS NPN 10V 8.5GHZ SOT323-3

欧时:
NXP PRF957,115 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=10 V, HFE:50, 8500 MHz, 3引脚 UMT封装

艾睿:
Trans RF BJT NPN 10V 0.1A 270mW 3-Pin SC-70 T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 10V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R

Verical:
Trans RF BJT NPN 10V 0.1A 270mW 3-Pin SC-70 T/R

Win Source:
TRANSISTOR SOT323

DeviceMart:
TRANSISTOR SOT-323

PRF957,115中文资料参数规格

技术参数

频率 8500 MHz

极性 NPN

耗散功率 0.27 W

击穿电压集电极-发射极 10 V

增益 14 dB

最小电流放大倍数hFE 50 @5mA, 6V

额定功率Max 270 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 270 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买PRF957,115

型号： PRF957,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：射频双极晶体管，NXP ### 双极性晶体管，NXP Semiconductors

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