PN3563

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PN3563中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 14dB ~ 26dB

最小电流放大倍数hFE 20 @8mA, 10V

额定功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买PN3563
型号: PN3563
制造商: Central Semiconductor
描述:RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A IC, 1Element, Silicon, NPN, TO-92
替代型号PN3563
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