击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 14dB ~ 26dB
最小电流放大倍数hFE 20 @8mA, 10V
额定功率Max 350 mW
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
数据手册
PN3563
Central Semiconductor
当前型号
2N5770
功能相似
PN3563LEADFREE