PMST2369,115中文资料参数规格
技术参数
频率 500 MHz
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 15 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 40 @10mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 40 @10mA, 1V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
封装 SOT-323-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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替代型号PMST2369,115
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PMST2369,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PMST2369,135 恩智浦 | 完全替代 | PMST2369,115和PMST2369,135的区别 |
PMST2369 安世 | 功能相似 | PMST2369,115和PMST2369的区别 |