NPN晶体管RF NPN RF Transistor
This device is designed for use in low noise UHF/VHF amplifiers with collector currents in the 100 µA to 30 mA range in common emitter or common base mode of operation, and in low frequency drift, high ouput UHF oscillators. Sourced from Process 40.
贸泽:
射频RF双极晶体管 NPN RF Transistor
艾睿:
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin TO-92 Bulk
额定电压DC 12.0 V
额定电流 50.0 mA
耗散功率 350 mW
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 15 dB
最小电流放大倍数hFE 25 @3mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 250
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 4.7 mm
宽度 3.93 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PN5179 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FMMT5179TA 美台 | 功能相似 | PN5179和FMMT5179TA的区别 |
2SA1245 东芝 | 功能相似 | PN5179和2SA1245的区别 |