雷达脉冲功率晶体管， 9W ， 300US脉冲， 10 ％占空比3.1 - 3.4 GHz的 Radar Pulsed Power Transistor, 9W, 300us Pulse, 10% Duty 3.1 - 3.4 GHz
RF NPN 60V 1.1A - 9W 底座安装 -
得捷: RF TRANS NPN 60V
贸泽: RF Bipolar Transistors
击穿电压集电极-发射极 60 V
增益 8 dB
额定功率Max 9 W
安装方式 Chassis
封装 -
工作温度 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册