PD54008S-E参数规格_中文资料_数据手册PDF

PD54008S-E概述

RF功率晶体管， LDMOST塑料家族的N沟道增强模式，横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs

RF Mosfet LDMOS 7.5 V 150 mA 500MHz 11.5dB 8W PowerSO-10RF（直引线）

得捷:
FET RF 25V 500MHZ PWRSO-10

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 25V 5A 3-Pin PowerSO-10RF Straight lead Tube

安富利:
Trans MOSFET N-CH 25V 5A 4-Pin2+2Tab PowerSO-10RF Straight lead Tube

Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 25V 5A 3-Pin PowerSO-10RF Straight lead Tube

Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 25V 5A 3-Pin PowerSO-10RF Straight lead Tube

DeviceMart:
IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10

PD54008S-E中文资料参数规格

技术参数

频率 500 MHz

耗散功率 73000 mW

漏源极电压Vds 25 V

输出功率 8 W

增益 11.5 dB

测试电流 150 mA

输入电容Ciss 91pF @7.5VVds

工作温度Max 165 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 73000 mW

额定电压 25 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 PowerSO-10RF

外形尺寸

封装 PowerSO-10RF

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 165℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买PD54008S-E

型号： PD54008S-E

描述：RF功率晶体管， LDMOST塑料家族的N沟道增强模式，横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs

替代型号PD54008S-E

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PD54008S-E ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
PD54008TR-E 意法半导体	类似代替	PD54008S-E和PD54008TR-E的区别
PD54008L-E 意法半导体	功能相似	PD54008S-E和PD54008L-E的区别
PD54008-E 意法半导体	功能相似	PD54008S-E和PD54008-E的区别