PD57006-E

STMICROELECTRONICS  PD57006-E  晶体管, 射频FET, 65 V, 1 A, 20 W, 925 MHz, 960 MHz, SOIC

射频 MOSFET ，STMicroelectronics

射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。

### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

得捷:
FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10

欧时:
### 射频 MOSFET 晶体管，STMicroelectronics射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RF POWER TRANS

e络盟:
晶体管, 射频FET, 65 V, 1 A, 20 W, 925 MHz, 960 MHz, SOIC

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 1A 3-Pin PowerSO-10RF Formed lead Tube

安富利:
Trans MOSFET N-CH 65V 1A 4-Pin2+2Tab PowerSO-10RF Formed lead Tube

富昌:
PD57006-E 系列 1 GHz 6 W 65 V N 沟道 RF 功率晶体管 - POWERSO-10RF

Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 1A 3-Pin PowerSO-10RF Formed lead Tube

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 1A; 20W; SO10RF; SMT; 15dB

Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 1A 3-Pin PowerSO-10RF Formed lead Tube

Newark:
# STMICROELECTRONICS  PD57006-E  RF FET Transistor, 65 V, 1 A, 20 W, 925 MHz, 960 MHz, SOIC

DeviceMart:
IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10