PD85035-E

PD85035-E图片1
PD85035-E图片2
PD85035-E图片3
PD85035-E图片4
PD85035-E概述

LdmoST 塑料系列 N沟道 增强模式 射频 功率晶体管

Amplifying and switching electronic signals in radio frequency environments is easy with this RF amplifier from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 95000 mW. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. Its maximum frequency is 1000 MHz. This RF power MOSFET has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 165 °C. This N channel RF power MOSFET operates in enhancement mode.

PD85035-E中文资料参数规格
技术参数

频率 870 MHz

额定电流 8 A

耗散功率 95000 mW

漏源极电压Vds 40 V

输出功率 15 W

增益 17 dB

测试电流 350 mA

输入电容Ciss 76pF @12.5VVds

工作温度Max 165 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 95000 mW

额定电压 40 V

封装参数

引脚数 3

封装 PowerSO-10RF

外形尺寸

封装 PowerSO-10RF

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 165℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买PD85035-E
型号: PD85035-E
描述:LdmoST 塑料系列 N沟道 增强模式 射频 功率晶体管
替代型号PD85035-E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PD85035-E

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

PD85035TR-E

意法半导体

完全替代

PD85035-E和PD85035TR-E的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司