PD55015TR-E参数规格_中文资料_数据手册PDF

PD55015TR-E概述

PD55015-E系列 40 V 520 MHz N沟道增强模式射频功率晶体管

RF Mosfet LDMOS 12.5 V 150 mA 500MHz 14dB 15W PowerSO-10RF（成形引线）

得捷:
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 40V 5A 3-Pin PowerSO-10RF Formed lead T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin2+2Tab PowerSO-10RF Formed lead T/R

Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 40V 5A 3-Pin2+Tab PowerSO-10RF Formed lead T/R

Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 40V 5A 3-Pin PowerSO-10RF Formed lead T/R

DeviceMart:
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

PD55015TR-E中文资料参数规格

技术参数

频率 500 MHz

额定电流 5 A

耗散功率 73000 mW

漏源极电压Vds 40 V

输出功率 15 W

增益 14 dB

测试电流 150 mA

输入电容Ciss 89pF @12.5VVds

工作温度Max 165 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 73000 mW

额定电压 40 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 PowerSO-10RF

外形尺寸

封装 PowerSO-10RF

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 165℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买PD55015TR-E

型号： PD55015TR-E

描述：PD55015-E系列 40 V 520 MHz N沟道增强模式射频功率晶体管

替代型号PD55015TR-E

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PD55015TR-E ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
PD55015STR-E 意法半导体	完全替代	PD55015TR-E和PD55015STR-E的区别
PD55015-E 意法半导体	类似代替	PD55015TR-E和PD55015-E的区别
PD55015S-E 意法半导体	类似代替	PD55015TR-E和PD55015S-E的区别