PUMD20,115参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

PUMD20,115图片1

PUMD20,115图片2

PUMD20,115图片3

PUMD20,115图片4

PUMD20,115图片5

PUMD20,115图片6

PUMD20,115图片7

PUMD20,115图片8

PUMD20,115图片9

PUMD20,115中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN+PNP

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @20mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSSOP-6

外形尺寸

高度 1 mm

封装 TSSOP-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PUMD20,115

型号： PUMD20,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：TSSOP NPN+PNP 50V 100mA

替代型号PUMD20,115

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PUMD20,115 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
MUN5313DW1T1G 安森美	功能相似	PUMD20,115和MUN5313DW1T1G的区别
PUMD2,115 安世	功能相似	PUMD20,115和PUMD2,115的区别
PUMD12,115 安世	功能相似	PUMD20,115和PUMD12,115的区别