PUMD10,125参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

PUMD10,125图片1

PUMD10,125图片2

PUMD10,125图片3

PUMD10,125图片4

PUMD10,125图片5

PUMD10,125图片6

PUMD10,125中文资料参数规格

技术参数

通道数 2

极性 NPN+PNP

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-363-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PUMD10,125

型号： PUMD10,125

制造商： NXP 恩智浦

描述：TSSOP NPN+PNP 50V 100mA

替代型号PUMD10,125

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PUMD10,125 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
PUMD10,115 恩智浦	类似代替	PUMD10,125和PUMD10,115的区别
MUN5335DW1T1G 安森美	功能相似	PUMD10,125和MUN5335DW1T1G的区别
DCX123JU-7-F 美台	功能相似	PUMD10,125和DCX123JU-7-F的区别