PUMB9,115中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @5mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-363-6
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买PUMB9,115
替代型号PUMB9,115
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PUMB9,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PUMB9 安世 | 功能相似 | PUMB9,115和PUMB9的区别 |