PIMZ2,115

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PIMZ2,115中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

极性 NPN+PNP

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.15A

最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V

最大电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V

额定功率Max 300 mW

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-457

外形尺寸

封装 SOT-457

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PIMZ2,115
型号: PIMZ2,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:TSOP NPN+PNP 50V 0.15A
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