PD84010-E参数规格_中文资料_数据手册PDF

PD84010-E概述

RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LDMOST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs

RF Mosfet LDMOS 7.5V 300mA 870MHz 16.3dB 2W PowerSO-10RF Formed Lead

得捷:
FET RF 40V 870MHZ

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 40V 8A 3-Pin PowerSO-10RF Formed lead Tube

DeviceMart:
TRANS RF POWER LDMOST N-CH

PD84010-E中文资料参数规格

技术参数

频率 870 MHz

额定电流 8 A

耗散功率 95000 mW

输出功率 2 W

增益 16.3 dB

测试电流 300 mA

输入电容Ciss 77pF @7VVds

工作温度Max 165 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 95000 mW

额定电压 40 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 PowerSO-10RF

外形尺寸

封装 PowerSO-10RF

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买PD84010-E

型号： PD84010-E

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LDMOST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs

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替代型号PD84010-E

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